開(kāi)關電(diàn)源具有(yǒu)效率高(gāo)、重量輕、體(Ω₩♠tǐ)積小(xiǎo)，穩壓範圍寬等突出優點，↓'÷從(cóng)20世紀中期問(wèn)世以來(l♠‌ái)，發展極其迅猛，在計(jì)算(suàn)機(jī)、₩®∏β通(tōng)信、航天、辦公和(hé)家(¥£←jiā)用(yòng)電(diàn)器(qì)等方面得(€ ≈de)到(dào)了(le)廣泛的(de)應用(♦∞yòng)，大(dà)有(yǒu)取代線性βγ穩壓電(diàn)源之勢。提高(gāo)電(diàn)路(lù)✔δε↓的(de)集成化(huà)是(shì)開(kāi)關電(diàn)源的✘$σ (de)追求之一(yī)，對(duì)中小(xiǎo)功率開 ₩(kāi)關電(diàn)源來(lái)說(shuō)是(shì)實現(xià"≠λn)單片集成化(huà)。開(kāi)關集成穩壓器(qì)是‌₩∏ (shì)指将控制(zhì)電(diàn)路(lù)、功率開(kāi)關管和₩ (hé)保護電(diàn)路(lù)等集成在一(yī)個↔≠(gè)芯片內(nèi)，而由開(kāi)關集成穩壓器(qì)$↓↕∏構成的(de)開(kāi)關電(diàn)源就(jiù)稱之為(wèi)單片"≈<開(kāi)關電(diàn)源。美(měi)國(guó)PI公司的(de)單片&∏開(kāi)關電(diàn)源系列是(shì)其顯著的(de)> ♠代表。 
    TOPS¥ ₩witch—GX設計(jì)的(de)250W開(kāi)關≠®₩電(diàn)源電(diàn)路(lù)如(α↔∑↔rú)圖1所示。直流電(diàn)壓經變壓器(qì)的(de)原邊加到★Ω<(dào)TOPSwitch—GX的(de)漏極D；頻(₹→ ☆pín)率選擇端F和(hé)極限電(diàn)流設定端X與源極S相(∞₹✘βxiàng)連，則該兩端的(de)功能(néng)都(d ♣÷ōu)沒用(yòng)，即不(bù)從(cóng)∞<♣®外(wài)部設定極限電(diàn)流，內(nèi)部自(zì)動設定自(z$¥ì)保護電(diàn)流ILIMIT，開✘↕€'(kāi)關工(gōng)作(zuò)頻(π♥∏pín)率為(wèi)132K；控制(zhì)↔↔∞&極和(hé)光(guāng)耦LTV817相(x‌‍iàng)連，接受反饋信号以實現(xiàn)對(du‌'§$ì)內(nèi)部集成的(de)高(gāo)壓功率MOS管占空(kōng)比的↔÷≤★(de)控制(zhì)；線路(lù)檢測端L通(tōng)過一✘↓α∑(yī)2MΩ的(de)電(diàn)阻和(hé)直♣×♥流高(gāo)壓輸入的(de)正端相(xiàng)連以實現(xiàn)過壓Ω✔、欠壓線電(diàn)壓前饋的(de)線電(diàn)®↕♠壓檢測。電(diàn)容C1為(wèi)α 高(gāo)頻(pín)濾波電(diàn)容；瞬态電(diàn) ε"壓抑制(zhì)器(qì)P6KE200和(hé)超快(kuài)≈"恢複二極管BYV26C構成鉗位電(diàn)路(l♥λù)，并在其中串入RC吸收電(diàn)路(lù)(由R2，R3和(hé)↑≤C6組成)，這(zhè)樣除了(le)可(kě)以吸收部分(fēn)漏感中的✔γ(de)能(néng)量以外(wài)，還(hái)可(‍±↑£kě)将電(diàn)壓鉗位在200V，可(kě)使開(kāi∏✘≤♥)關電(diàn)源在啓動或過載的(de)情況下(xià)TOPS®₹witch—GX內(nèi)部集成MOS管的(de)漏極電(d‌‌iàn)壓不(bù)超過700V；高(gāo)頻(pín)φ≥✘∑變壓器(qì)T1的(de)副邊輸出經過MURl640CT整>±©δ流和(hé)C9，C10和(hé)C11濾波，再經過磁珠L1和(hé)C →★12濾掉開(kāi)關噪聲後，得(de)到(dào)‌∏β輸出電(diàn)壓；VD4和(hé)C14構成軟啓動電(π&©diàn)路(lù)。 
    單片開(↑↑kāi)關電(diàn)源具有(yǒu)​∑™單片集成化(huà)、最簡外(wài)圍電(diàn)路(lù)、最"σε佳性能(néng)指标、能(néng)以無工(gōng)頻(pín)λε變壓器(qì)電(diàn)器(qì)實現(Ω≠xiàn)完全隔離(lí)等顯著優點，是(shì)我們設計✔&β(jì)290W以下(xià)開(kāi)關電(diàn)源的(de÷γ✘)理(lǐ)想選擇。